textarchive.ru

Главная > Исследование


И.А. МАХОТКИН, Е.Ю. ТЕРЕЩЕНКО, А. Ю. СЕРЕГИН

Институт Кристаллографии имен А.В. Шубникова РАН, Москва

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОТЖИГА

НА МНОГОСЛОЙНУЮ СТРУКТУРУ AL/PD/RE –

ИСХОДНУЮ СТРУКТУРУ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ

ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КВАЗИКРИСТАЛЛА

Метод стоячих рентгеновских волн в области полного внешнего отражения был применен для исследованы изменения распределений элементов входящих в состав многослойной структуры Al/Pd/Re под действием отжига в вакуумной печи.

Интерес к квазикристаллам во многом связан с перспективами их практического применения. Известно, что квазикристаллы обладают низ­кой теплопроводностью и высоким удельным сопротивлением, что не характерно для обычных сплавов. Высокая твердость, низкий коэффици­ент сопротивления, химическая, коррозионная и радиационная стойкости, являются наиболее привлекательными качествами, обусловливающими их возможное применение в промышленности. Возможности использования квазикристаллов ограничены из-за их высокой хрупкости и низкой де­формируемости при комнатной температуре. Решение этой проблемы со­стоит, в использовании покрытий, т.е. тонкопленочных квазикристаллов. Одним из способов получения данных объектов является отжиг много­слойных структур, полученных методом ионно-плазменного напыления.

Формирование квазикристалла происходит в результате миграции атомов по толщине пленки. Однако, до последнего времени не было соот­ветствующей методики, позволяющей исследовать процесс перемешива­ния слоев исходной структуры на промежуточных стадий отжига.

Представленная работа посвящена развитию метода, дающего спек­трально-селективную структурную информацию – методики стоячих рентгеновских волн в области полного вешнего отражения, основанной на регистрации угловых зависимостей выхода характеристической рентге­новской флуоресценции от каждого типа атомов. При применении дан­ного метода к слоистым системам возможно получение информации от каждого моноэлементного слоя (плотность, толщина, последовательность слоев) и прослеживание изменения параметров слоев.

Исследовалась многослойная структура Al/Pd/Re. Общая толщина пленки 45.91нм, процентное соотношение Al/Pd/Re - 73.46/19.59/6.95. Для предотвращения окисления Re на пленку был нанесен 10 нм слой оксида алюминия. Образец исследовали до и после отжига. Отжиг образца про­водился в вакуумной камере в течение часа при температуре 350ºC.

На лабораторном спектрометре были получены угловые зависимости выхода флуоресценции от Re (линии L-серии) и Pd (L-серия), возбужден­ной излучением Mo Kα1 (17.48 кэВ), от исследуемой структуры до и после ее отжига(рис. 1). Сравнение угловых зависимостей выхода флуоресцен­ции показало, что в результате отжига максимум распределения плотно­сти Re сместился на бóльшую глубину, о чем свидетельствует смещение пика угловой зависимости его выхода флуоресценции в область больших углов. Уменьшение высоты пика рассматриваемой угловой зависимости свидетельствуют об уширении распределения плотности рения. Малозна­чительные изменения угловой зависимости выхода флуоресценции палла­дия свидетельствует об отсутствии существенных изменений в распреде­лении его плотности по толщине пленки.

Н
аши исследования позволяют сделать вывод о том, что в результате отжига многослойной структуры Al/Pd/Re, увеличилась толщина и глу­бина залегания слоя Re, в то время как распределение Pd практически не изменилось.

Рис. 1 Сравнение угловых зависимостей выхода флуоресценции L-се­рии Re до (2)

и после отжига (4), угловые зависимости интенсивности от­раженного пучка до (1)

и после (3) отжига



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов (1)

    Документ
    ... влияния условий синтеза, включая концентрацию исходного раствора, скорость охлаждения, температуру и продолжительность высокотемпературного отжига, на ... изучение возможности формированиямногослойныхструктурна основе пленок BCxNy для использования в ...
  2. Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов (2)

    Документ
    ... влияния условий синтеза, включая концентрацию исходного раствора, скорость охлаждения, температуру и продолжительность высокотемпературного отжига, на ... изучение возможности формированиямногослойныхструктурна основе пленок BCxNy для использования в ...
  3. Особенности структуры опаловых фотонных кристаллов

    Документ
    ... влияния условий синтеза, включая концентрацию исходного раствора, скорость охлаждения, температуру и продолжительность высокотемпературного отжига, на ... изучение возможности формированиямногослойныхструктурна основе пленок BCxNy для использования в ...
  4. Образование нанокристаллов при деформации аморфных сплавов их морфология и структура ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИЕЙ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ Aida r @ i ep u ran ru ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ПРОЦЕССОВ

    Исследование
    ... 59 ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТОДАМИ ... д. 4 ИССЛЕДОВАНИЕВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ОТЖИГАНА МИКРОСТРУКТУРУ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ Cu/Nb ... ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ ДЛЯИССЛЕДОВАНИЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРЫ ИСХОДНОГО И РАДИАЦИОННО- ...
  5. 60 лет государственному научному центру рф фгуп «нпо «орион» xix международная

    Документ
    ... Влияниеотжигана ... исследований ИК фотопроводимости в гетероструктурах InGaAs/GaAs с КТ. Многослойныеструктуры ... формировании p+-n перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на ...

Другие похожие документы..